📰 消息称三星电子展示全球首款 5nm MRAM 研发成果，目标 2027 年量产
消息称三星电子展示全球首款 5nm MRAM 研发成果，目标 2027 年量产
<p data-vmark="9b63">IT之家 6 月 17 日消息，据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上<strong>展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果</strong>。</p><p data-vmark="327f" style="text-align: center;"><img src="https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2026/5/07269568-9e97-42fc-9b36-c4a5e0acf910.jpg?x-bce-process=image/format,f_auto" w="1620" h="648" data-vmark="890b" data-weibo="0"></p><figcaption>▲ MRAM 结构示意</figcaption><p data-vmark="267c">相较 DR
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<p data-vmark="9b63">IT之家 6 月 17 日消息，据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上<strong>展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果</strong>。</p><p data-vmark="327f" style="text-align: center;"><img src="https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2026/5/07269568-9e97-42fc-9b36-c4a5e0acf910.jpg?x-bce-process=image/format,f_auto" w="1620" h="648" data-vmark="890b" data-weibo="0"></p><figcaption>▲ MRAM 结构示意</figcaption><p data-vmark="267c">相较 DR
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